反向传输电容(Crss):1.8pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.38Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22.8nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1068pF@100V,输出电容(Coss):39pF,连续漏极电流(Id):11A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.38Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1068pF@100V | |
| 输出电容(Coss) | 39pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |