反向传输电容(Crss):36pF@10V,导通电阻(RDS(on)):115mΩ@10V,1A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):3.9nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):800mW,输入电容(Ciss):172pF@10V,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):2.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V,1A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 输入电容(Ciss) | 172pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |