反向传输电容(Crss):96pF,导通电阻(RDS(on)):12mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):22.9nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,输入电容(Ciss):964pF,输出电容(Coss):109pF,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 输出电容(Coss) | 109pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.843/个 |
| 50+ | ¥0.67/个 |
| 150+ | ¥0.584/个 |
| 500+ | ¥0.519/个 |
| 3000+ | ¥0.449/个 |
| 6000+ | ¥0.423/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.41308
3000 PCS/盘
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