反向传输电容(Crss):290pF,导通电阻(RDS(on)):24mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):76nC@10V,栅极电荷量(Qg):38nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):104.2W,输入电容(Ciss):3500pF,输出电容(Coss):390pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 104.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 3500pF | |
| 输出电容(Coss) | 390pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.793/个 |
| 10+ | ¥2.727/个 |
| 30+ | ¥2.689/个 |
| 100+ | ¥2.651/个 |
| 102+ | ¥2.651/个 |
| 104+ | ¥2.651/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.43892
4000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉848.32元