反向传输电容(Crss):65pF@15V,导通电阻(RDS(on)):28mΩ@10V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.1nC,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):575pF@15V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.1nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 575pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.99/个 |
| 10+ | ¥4.27/个 |
| 30+ | ¥3.88/个 |
| 100+ | ¥3.43/个 |
| 500+ | ¥2.7/个 |
| 1000+ | ¥2.62/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.62
2500 PCS/盘