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FDS4897C

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品牌名称
onsemi(安森美)
厂家型号
FDS4897C
商品编号
C241808
商品封装
SO-8
商品毛重
0.000222千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):70pF,导通电阻(RDS(on)):43mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):32nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):1050pF,输出电容(Coss):140pF,连续漏极电流(Id):6.2A,连续漏极电流(Id):4.4A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)70pF
导通电阻(RDS(on))43mΩ@10V
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道+1个P沟道
栅极电荷量(Qg)32nC@10V
漏源电压(Vdss)40V
类型N沟道+P沟道
耗散功率(Pd)2W
输入电容(Ciss)1050pF
输出电容(Coss)140pF
连续漏极电流(Id)6.2A
连续漏极电流(Id)4.4A
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA

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