反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@10V,3A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):43nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1228pF@100V,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V,3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1228pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.684/个 |
| 10+ | ¥8.298/个 |
| 30+ | ¥7.437/个 |
| 100+ | ¥6.544/个 |
| 500+ | ¥6.15/个 |
| 1000+ | ¥5.97/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.936
2500 PCS/盘
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