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SI4435DYTRPBF-HXY

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: SI4435DYTRPBF-HXY
商品编号: C7543021
商品封装: SOP-8
商品毛重: 0.000364千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):156pF,导通电阻(RDS(on)):16mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3.7W,输入电容(Ciss):1330pF,输出电容(Coss):183pF,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	156pF
导通电阻(RDS(on))	16mΩ@10V
工作温度	-55℃~+150℃
数量	1个P沟道
栅极电荷量(Qg)	22nC@10V
漏源电压(Vdss)	30V
类型	P沟道
耗散功率(Pd)	3.7W
输入电容(Ciss)	1330pF
输出电容(Coss)	183pF
连续漏极电流(Id)	11A
阈值电压(Vgs(th))	2.5V