反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):85mΩ@4.5V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):90V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):311pF,输出电容(Coss):38pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):1.8V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 90V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 311pF | |
| 输出电容(Coss) | 38pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |