导通电阻(RDS(on)):43mΩ@4.5V,3A,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6.9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):660pF@6V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@4.5V,3A | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@6V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |