反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):0.14Ω@10V,12A,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):70nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):168W,输入电容(Ciss):1440pF,连续漏极电流(Id):24A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 11pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.14Ω@10V,12A | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
耗散功率(Pd) | 168W | |
输入电容(Ciss) | 1440pF | |
连续漏极电流(Id) | 24A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |