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SI4114DY-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI4114DY-T1-GE3
- 商品编号
- C511008
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000118千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):315pF@10V,导通电阻(RDS(on)):0.006Ω@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):27.5nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):2.5W,耗散功率(Pd):5.7W,输入电容(Ciss):3700pF@10V,连续漏极电流(Id):15.2A,阈值电压(Vgs(th)):2.1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.006Ω@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 耗散功率(Pd) | 5.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 3700pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.67/个 |
| 10+ | ¥8.49/个 |
| 30+ | ¥8.37/个 |
| 100+ | ¥8.25/个 |
| 102+ | ¥8.25/个 |
| 104+ | ¥8.25/个 |
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