反向传输电容(Crss):33pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):283nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):643W,输入电容(Ciss):4760pF,输出电容(Coss):430pF,连续漏极电流(Id):163A,阈值电压(Vgs(th)):4.3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 283nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 643W | |
| 输入电容(Ciss) | 4760pF | |
| 输出电容(Coss) | 430pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 163A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥245.94/个 |
| 3+ | ¥245.94/个 |
| 5+ | ¥245.94/个 |
| 45+ | ¥232.77/个 |
| 47+ | ¥232.77/个 |
| 49+ | ¥232.77/个 |
整盘
单价
整盘单价¥232.768
45 PCS/盘