反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):125nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):568W,输入电容(Ciss):5675pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):75A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 568W | |
| 输入电容(Ciss) | 5675pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥29.682/个 |
| 10+ | ¥25.506/个 |
| 25+ | ¥23.031/个 |
| 100+ | ¥20.52/个 |
| 500+ | ¥19.368/个 |
| 1000+ | ¥18.846/个 |
整盘
单价
整盘单价¥21.18852
25 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉46.062元