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BSS670S2L H6327
扩展库- 品牌名称
- Infineon 英飞凌
- 厂家型号
- BSS670S2L H6327
- 商品编号
- C534625
- 商品封装
- SOT-23-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):650mΩ@10V,270mA,数量:N沟道,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):360mW,连续漏极电流(Id):540mA,阈值电压(Vgs(th)):2V@2.7uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V,270mA | |
| 数量 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@2.7uA |
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