反向传输电容(Crss):86pF@15V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):14.5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):660pF@15V,连续漏极电流(Id):7.2A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |