反向传输电容(Crss):2.7pF,导通电阻(RDS(on)):97.5mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):55nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):145W,输入电容(Ciss):1480pF,输出电容(Coss):58pF,连续漏极电流(Id):32A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 97.5mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 145W | |
| 输入电容(Ciss) | 1480pF | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥80.31/个 |
| 10+ | ¥76.54/个 |
| 30+ | ¥70/个 |
| 90+ | ¥64.3/个 |
| 92+ | ¥64.3/个 |
| 94+ | ¥64.3/个 |
整盘
单价
整盘单价¥64.4
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