导通电阻(RDS(on)):70mΩ@4.5V,2.8A,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):830mW,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V,2.8A | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.365/个 |
| 50+ | ¥0.357/个 |
| 150+ | ¥0.352/个 |
| 500+ | ¥0.346/个 |
| 510+ | ¥0.346/个 |
| 520+ | ¥0.346/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.31832
3000 PCS/盘
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