导通电阻(RDS(on)):150mΩ@4.5V,4.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):700mW,输入电容(Ciss):193pF@10V,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V,4.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 输入电容(Ciss) | 193pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |