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650V SiC FET

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品牌名称: Qorvo
厂家型号: UF3C065030B3
商品编号: C6581984
商品封装: TO-263(D2PAK)
商品毛重: 0.00183千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):35mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):51nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):242W,输入电容(Ciss):1500pF,输出电容(Coss):293pF,连续漏极电流(Id):65A,阈值电压(Vgs(th)):6V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	2pF
导通电阻(RDS(on))	35mΩ
工作温度	-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	51nC
漏源电压(Vdss)	650V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	242W
输入电容(Ciss)	1500pF
输出电容(Coss)	293pF
连续漏极电流(Id)	65A
阈值电压(Vgs(th))	6V

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阶梯价格(含税价)

梯度	售价
1+	¥197.2/个
3+	¥197.2/个
5+	¥197.2/个
30+	¥189.07/个
32+	¥189.07/个
34+	¥189.07/个

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整盘

单价

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