反向传输电容(Crss):3.3pF,导通电阻(RDS(on)):340mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):20nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):84.5W,输入电容(Ciss):747pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):11A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 84.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 747pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |