导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,650mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):2.1nC@5V,漏源电压(Vdss):300V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2W,连续漏极电流(Id):1.3A,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):1.95V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V,650mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V |