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FDB86363-F085
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDB86363-F085
- 商品编号
- C898567
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.002212千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):95pF@40V,导通电阻(RDS(on)):2.4mΩ@10V,80A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):10000pF@40V,连续漏极电流(Id):110A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,80A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 10000pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥23.32/个 |
| 10+ | ¥22.77/个 |
| 30+ | ¥22.41/个 |
| 100+ | ¥22.05/个 |
| 102+ | ¥22.05/个 |
| 104+ | ¥22.05/个 |
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