温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
ID:6A VDSS:1700V RDON:700mR N沟道
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HC3M001K170J
- 商品编号
- C22449551
- 商品封装
- TO-263-7L
- 商品毛重
- 0.002234千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):2.2pF,导通电阻(RDS(on)):700mΩ,导通电阻(RDS(on)):700mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):16.5nC,漏源电压(Vdss):1700V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):86W,输入电容(Ciss):285pF,输出电容(Coss):15.3pF,连续漏极电流(Id):6.7A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 86W | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 输出电容(Coss) | 15.3pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥25.74/个 |
| 10+ | ¥21.974/个 |
| 50+ | ¥19.307/个 |
| 100+ | ¥17.0368/个 |
| 500+ | ¥15.99/个 |
| 1000+ | ¥15.514/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥17.76244
50 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉77.228元
送
换料费券¥300
库存总量
181 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车