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GC2M1000170D
扩展库- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 厂家型号
- GC2M1000170D
- 商品编号
- C7435057
- 商品封装
- TO247-3
- 商品毛重
- 0.00804千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):2.2pF,导通电阻(RDS(on)):0.8Ω,导通电阻(RDS(on)):0.8Ω@20V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):22nC,栅极电荷量(Qg):22nC,漏源电压(Vdss):1700V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):69W,输入电容(Ciss):215pF,输出电容(Coss):19pF,连续漏极电流(Id):5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8Ω | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8Ω@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥14.68/个 |
| 10+ | ¥12.72/个 |
| 30+ | ¥10.52/个 |
| 90+ | ¥9.27/个 |
| 600+ | ¥8.7/个 |
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