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NTD6416ANLT4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTD6416ANLT4G
- 商品编号
- C114874
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):50pF,导通电阻(RDS(on)):74mΩ@10V,19A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):40nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):71W,输入电容(Ciss):1000pF,输出电容(Coss):110pF,连续漏极电流(Id):19A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V,19A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 输入电容(Ciss) | 1000pF | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
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