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KIA4N65HD
扩展库- 品牌名称
- KIA
- 厂家型号
- KIA4N65HD
- 商品编号
- C134925
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000453千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):-,配置:半桥,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 配置 | 半桥 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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