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SQ4949EY-T1_GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SQ4949EY-T1_GE3
- 商品编号
- C17256653
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000172千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):145pF,导通电阻(RDS(on)):0.065Ω@4.5V,4A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3.3W,输入电容(Ciss):1020pF,输出电容(Coss):210pF,连续漏极电流(Id):7.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.065Ω@4.5V,4A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 1020pF | |
| 输出电容(Coss) | 210pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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