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ALD1101SAL
扩展库- 品牌名称
- ALD
- 厂家型号
- ALD1101SAL
- 商品编号
- C17561854
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.00023千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:0℃~+70℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):10V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):40mA,阈值电压(Vgs(th)):1V@10uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 40mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@10uA |
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