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SP8M51-TB-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SP8M51-TB-VB
- 商品编号
- C19188164
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000158千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):20pF,反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):0.24Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.49Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,栅极电荷量(Qg):24nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):600pF,输入电容(Ciss):510pF,输出电容(Coss):130pF,输出电容(Coss):65pF,连续漏极电流(Id):2.2A,连续漏极电流(Id):1.9A,配置:半桥,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.24Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.49Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 配置 | 半桥 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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