反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):10Ω@5V,100mA,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):50V,类型:-,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):130mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V,100mA | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 200mW | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 130mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |