导通电阻(RDS(on)):225mΩ@10V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.56W,输入电容(Ciss):380pF,连续漏极电流(Id):1.8A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 225mΩ@10V | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.56W | |
输入电容(Ciss) | 380pF | |
连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |