反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1250mW,输入电容(Ciss):954pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):3.8A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1250mW | |
输入电容(Ciss) | 954pF | |
输出电容(Coss) | 115pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |