导通电阻(RDS(on)):4Ω@1.8V,栅极电荷量(Qg):0.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.6W,连续漏极电流(Id):390mA,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@1.8V | |
栅极电荷量(Qg) | 0.8nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 0.6W | |
连续漏极电流(Id) | 390mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |