反向传输电容(Crss):0.5pF,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):37.5nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):2070pF,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):28A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 37.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 35W | |
输入电容(Ciss) | 2070pF | |
输出电容(Coss) | 120pF | |
连续漏极电流(Id) | 28A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.59/个 |
10+ | ¥8.88/个 |
30+ | ¥7.94/个 |
100+ | ¥6.88/个 |
500+ | ¥6.41/个 |
1000+ | ¥6.19/个 |
整盘
单价
整盘单价¥7.3048
50 PCS/盘
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