反向传输电容(Crss):3.3pF@480V,导通电阻(RDS(on)):680mΩ@10V,3.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):31.4W,输入电容(Ciss):435pF@50V,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3.3pF@480V | |
导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V,3.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
耗散功率(Pd) | 31.4W | |
输入电容(Ciss) | 435pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |