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SQ4961EY-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SQ4961EY-T1-GE3
- 商品编号
- C241857
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000248千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):85mΩ@10V,3.5A,数量:2个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):3.3W,连续漏极电流(Id):4.4A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,3.5A | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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