温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS6680AS
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS6680AS
- 商品编号
- C241811
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.00022千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):120pF@15V,导通电阻(RDS(on)):12.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):1240pF@15V,连续漏极电流(Id):11.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@1mA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 输入电容(Ciss) | 1240pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
数据手册PDF
暂无数据手册PDF
预订参考价
2.158 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车