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SI4386DY-T1-E3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI4386DY-T1-E3
- 商品编号
- C145472
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000245千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.0095Ω@4.5V,13.5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0095Ω@4.5V,13.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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