反向传输电容(Crss):55pF,导通电阻(RDS(on)):250mΩ@2.5V,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.9nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):430pF,输出电容(Coss):80pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):2V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 55pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@2.5V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.9nC | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 430pF | |
输出电容(Coss) | 80pF | |
连续漏极电流(Id) | 2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.943/个 |
50+ | ¥0.919/个 |
150+ | ¥0.903/个 |
500+ | ¥0.887/个 |
510+ | ¥0.887/个 |
520+ | ¥0.887/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.879
3000 PCS/盘
嘉立创补贴0.9%
一盘能省掉24元