反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):8.8Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.5nC@125V,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):70pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):0.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 8.8Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@125V | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 70pF | |
输出电容(Coss) | 10pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.25/个 |
50+ | ¥0.983/个 |
150+ | ¥0.868/个 |
500+ | ¥0.725/个 |
3000+ | ¥0.612/个 |
6000+ | ¥0.574/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.56304
3000 PCS/盘
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