导通电阻(RDS(on)):70mΩ@10V,2.5A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.1nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):700mW,输入电容(Ciss):165pF@10V,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,2.5A | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 700mW | |
输入电容(Ciss) | 165pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |