导通电阻(RDS(on)):40mΩ@2.5V,2A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@2.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):630pF@10V,连续漏极电流(Id):4.5A,阈值电压(Vgs(th)):800mV
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V,2A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@2.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |