反向传输电容(Crss):85pF@6V,导通电阻(RDS(on)):57mΩ@2.5V,1.5A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6.2nC@2.5V,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):1.01nF@6V,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):800mV
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@6V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@2.5V,1.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@2.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF@6V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |