反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):553pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):0.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.126/个 |
| 500+ | ¥0.097/个 |
| 3000+ | ¥0.081/个 |
| 6000+ | ¥0.0713/个 |
| 24000+ | ¥0.0629/个 |
| 51000+ | ¥0.0583/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.07452
3000 PCS/盘
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