反向传输电容(Crss):85pF,导通电阻(RDS(on)):500mΩ@0.9V,50mA,工作温度:-5℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):6.2nC@2.5V,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):1010pF,输出电容(Coss):130pF,连续漏极电流(Id):3.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.8V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@0.9V,50mA | |
| 工作温度 | -5℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@2.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 1010pF | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V@1mA |