导通电阻(RDS(on)):310mΩ@1.8V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.8nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.8W,输入电容(Ciss):128pF@10V,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 128pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@1mA |