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ID:63A VDSS:1200V RDON:32mR N沟道
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HNTHL040N120SC1
- 商品编号
- C42389115
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.00688千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):43mΩ,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):114nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):283W,输入电容(Ciss):3357pF,输出电容(Coss):129pF,连续漏极电流(Id):63A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 输入电容(Ciss) | 3357pF | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥64.953/个 |
| 10+ | ¥56.0384/个 |
| 30+ | ¥50.609/个 |
| 90+ | ¥46.0504/个 |
| 92+ | ¥46.0504/个 |
| 94+ | ¥46.0504/个 |
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