反向传输电容(Crss):420pF,导通电阻(RDS(on)):0.15Ω@10V,9.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):86nC,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):195.3W,输入电容(Ciss):2340pF,连续漏极电流(Id):22.4A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 420pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.15Ω@10V,9.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 86nC | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
耗散功率(Pd) | 195.3W | |
输入电容(Ciss) | 2340pF | |
连续漏极电流(Id) | 22.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |