反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):214mΩ@10V,3.8A,工作温度:-40℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):24W,输入电容(Ciss):761pF@400V,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 214mΩ@10V,3.8A | |
工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 24W | |
输入电容(Ciss) | 761pF@400V | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |